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产品名称:
Si片外延AlN膜
产品简介:
Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长,其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片
技术参数:
AlN厚度:200nm ±10%,
单面镀膜正面: <2nm RMS, as-grown背面:silicon as receivedAlN晶向:(00.2)
宏缺陷密度:<10/cm^2
薄膜衬底:Si [111] N type, dia 4" x0.5 mm,
电阻res: 1~10 ohm-cm, 单抛
常规尺寸:
dia 4" x0.5 mm,单抛;
标准包装:
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4"),Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")
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