您好,欢迎您查看分析测试百科网,请问有什么帮助您的?
如果企业客服不在线,也可拨打400电话联系。或者发布求购信息
产品名称:
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)
常规尺寸:
dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025 mm
技术参数:
4H-SiC薄膜晶向:<0001>
4H-SiC薄膜厚度(film target thickness):4.3um ±10%
4H-SiC薄膜厚度(film target doping layer) :1.4E17/cc +0% /- 30%
载流子浓度:(3~ 10)E16 /cc
导电类型:P型
抛光情况:双面抛光
4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel(10-10);OF length: 15.9 +/- 1.7 mm
4H-SiC基片尺寸: dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm
4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm
4H-SiC抛光:Si面CMP单抛边缘排除:1mm
标准包装:
1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜, 4H-SiC上镀4H-SiC薄膜 P 型
4H-SiC上镀4H-SiC薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于4H-SiC上镀4H-SiC薄膜报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
合肥科晶开启式管式炉系列
群组论坛--近红外(NIR)
Copyright ©2007 ANTPedia, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号