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晶体结构:四方(4mm): 9oC < T < 130.5 oCa=3.99 ?, c= 4.04 ? ,
生长方法:顶部籽晶溶液法(TSSG)
熔点:1600 oC
密度:6.02 g/cm3
介电常数:ea = 3700, ec = 135 (自由状态)ea = 2400, e c = 60
(夹持状态)折射率: 515 nm 633 nm 800 nm no 2.4921 2.4160 2.3681ne 2.4247 2.3630 2.3235
透射波长范围:0.45 ~ 6.30 mm
电光系数:rT 13 =11.7 ±1.9 pm/V rT 33 =112 ±10 pm/VrT 42 =1920 ±180 pm/VSPPC
反射率(0度切 ):l = 515 nm, 50 - 70 %
(最高达到77%) l = 633 nm, 50 - 80 %
(最高达到86.8%)二波混频耦合常数:10 - 40 cm-1
吸收损耗: l: 515 nm 633 nm 800 nma: 3.392cm-1 0.268cm-1 0.005cm-1
常规晶向:<100>、<001>
晶向公差:±0.5度
常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm
抛光情况:单抛或双抛,Ra<5A
可按客户要求定制方向和尺寸。
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