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摘要从应用端讲,碳化硅被称为“黄金赛道”丝毫不过分,目前碳化硅和氮化镓这两种芯片,如果想最大程度利用其材料本身的特性,较为理想的方案便是在碳化硅单晶衬底上生长外延层。即碳化硅上长碳化硅外延层,用于制造功率器件;碳化硅上长氮化镓外延层,可以用来制造中低压高频功率器件、大功率微波射频器件以及光电器件。所以碳化硅衬底材料可以满足两种当下最具潜力材料的对衬底材料的需求,“一材两用”,因此这便是“得碳化硅者得天下”的说法来源。测试对象、目的、工具测试仪器:ATR31
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