| 二次电子图象分辨率 | 0.5nm (15 kV)、0.7nm (1 kV) | 放大倍数 | × 25 ～ × 2,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960 pixels display) |
| 电子光学 | 无漏磁物镜 | 样品台 | 全对中测角样品台、5轴马达驱动 X：70mm Y：50mm Z：2mm～25mm 倾斜－5～＋70° 旋转360° |
| 探测器 | 高位探测器等 | 背散射电子图像分辨率 | 1.5nm |
| 加速电压 | 0.01kV ～ 30kV |
JSM-IT800 热场发射扫描电子显微镜
JSM-IT800具备高分辨观察和高速元素面分析，能够满足客户的各种需求。该装置配备浸没式肖特基场发射电子枪、新一代电子光学控制系统Neo Engine、一体化EDS、易用的操作导航SEM Center、及可置换的物镜模块。
特性
JSM-IT800 整合了我们用于从高分辨率成像到快速元素分析的“浸没式肖特基 Plus 场发射电子枪”、创新的电子光学控制系统“Neo Engine”以及无缝 GUI 系统“SEM Center”，该系统采用一体化 JEOL X 射线能量色散谱仪 (EDS) 作为通用平台，进行快速元素分析。
JSM-IT800 允许物镜作为一个更换模块，提供不同的版本以满足各种用户需求。JSM-IT800 有五种版本，提供不同的物镜：混合型物镜 (HL)，这是一种通用 FE-SEM；超级混合物镜（SHL/SHLs，具有不同功能的两种版本），可实现更高分辨率的观察和分析；以及新开发的半浸没式物镜（i/is，具有不同功能的版本），适用于纳米材料、化学、新材料、半导体器件的观察和分析。
此外，JSM-IT800 还可以配备新型闪烁体背散射电子探测器 (SBED) 和多功能背散射电子探测器 (VBED)。SBED 支持以高响应性获取图像，即使在低加速电压下也能产生清晰的成分衬度，而 VBED 可以帮助获取 3D、形貌和成分衬度的图像。因此，JSM-IT800 可以帮助用户获取丰富多样德 信息并解决测量中的问题。
1. 浸没式肖特基Plus场发射电子枪
集成的浸没式肖特基Plus电子枪和低像差聚光透镜可实现高亮度。即使低加速电压下也能获得充足的探针电流(100nA@5kv), 这可帮助用户在对SEM参数进行微小调整的情况下，进行高分辨观察、高速元素面分析、EBSD分析、软X射线分析。
2. Neo Engine（New Electron Optical Engine）
配备本公司电子光学技术精华的新一代电子光学控制系统，可在调整各种参数的同时进行稳定的观察。此外，该系统还具有增强的自动功能，更易于使用。
AFS ACB
样品：碳基纳米锡粒子
入射电压：15kV，WD：2mm，观察模式：BD，检测器：UED， 倍率：x200,000
3. SEM Center / EDS一体化
操作导航“SEM Center”与本公司生产的EDS进行了全面集成，更易于操作。此外，还配备了Smile Navi（可选），可以帮助新手了解如何操作SEM，LIVE - AI (Live Image Visual Enhancer-AI)(可选)，可轻松查看实时图像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成报告。
4. LIVE-AI Filter
利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以实现更高质量的实时图像。与图像集成处理不同，这样可以显示无残留图像的无缝移动实时图像。这一独特功能对于快速搜索观察区域、聚焦和像散调整非常有效。
实时图像比较
样品：蚂蚁外骨骼，入射电压：0.5kV，SED检测器
样品： 铁锈， 入射电压：1kV，SED检测器
5. HL/HLs（Hybrid Lens）、 SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is （Semi-in-Lens）
JSM-IT800 系列了提供多种物镜可供选择，以满足用户的多种需求。
HL 版本和 SHL 版本（包括 SHLs 版本）配备了电磁/静电场叠加物镜。可以对从金属到纳米材料的各种样本进行高分辨率观察和分析，特别适用于磁性材料的观察和分析，例如 EBSD 分析。
i 版本和 is 版本都配备了半浸没式物镜，非常适合对倾斜和横截面样本进行高分辨率观察和分析，这是半导体器件故障分析的必备要素。此外，它还适用于使用高位透镜内电子探测器 (UID) 进行观察。
6. 高位检测器UHD （Upper Hybrid Detector）
SHL物镜里标配高位检测器，可高效检测样本中的电子，从而获得高S/N的图像。
SHL 观察举例
1. 氧化铝颗粒 二次电子像
入射电压0.5kV， 检测器：UHD
可以观察颗粒表面的阶梯结构，能清楚地看到纳米尺度的阶梯。
2. 铝勃姆石和纤维素纳米纤维CNF
样本：IC芯片横截面（表面蚀刻，锇镀层）
入射电压：5.0kV（无BD模式），SHL观察模式，探测器：UHD、UED（BSE模式）
HL 观察举例
i/is version 观察举例
1. 光催化颗粒 二次电子像
JSM-IT800（i） UED检测器 样品提供：东京大学 特聘教授 堂免 一成
这种光催化剂使水分解反应的量子效率接近 100%。高分辨率 SE 图像清楚地显示：尺寸小于 10 nm 的助催化剂颗粒优先沉积在立方颗粒的 {100} 晶面上，以促进析氢和析氧反应。
参考文献：T. Takata et. al., "Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity," Nature , 581, 411-414, 2020.
2. 半导体器件（SRAM）内部组成像、电位衬度像、凹凸像
观察条件：入射电压1kV，WD8mm，观察模式SIL，检测器UED、UID、SED，3种信号同时获取
7. 新型背散射电子检测器
闪烁体背散射电子检测器（SBED、选配件）响应性能优越，适用于低加速电压下材料衬度像的采集。多用途背散射电子检测器（VBED、选配件）适用于3D、凹凸等特色图像的采集。
SBED观察例
VBED观察例
VBED中不同方位的半导体元件接受不同角度的背散射电子。位于内侧的元件接受的电子主要反映样品的成分信息，外侧的主要反映其表面凹凸信息，且使用内侧半导体元件还能观察处于AI镀层深处的荧光物质
| HLversion | is version | i version | SHLs version | SHL version | |
| 分辨率 (1 kV) | 1.3nm | 1.0nm | 0.7nm | 1.1nm | 0.7nm |
| 分辨率 (15 kV) | 0.6nm | 0.5nm | 0.6nm | 0.5nm | |
| 分辨率 (20 kV) | 0.7nm | ||||
| 分辨率（分析） | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 8mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 8mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) |
| 加速电压 | 0.01 - 30 kV | ||||
| 检测器 | SED、UED | SED、UID | SED、UID、UED | SED、UHD | SED、UHD |
| 电子枪 | 浸没式schott-plus场发射电子枪 | ||||
| 入射电流 | 最大300nA | 最大300nA | 最大500nA | 最大500nA | 最大500nA |
| 物镜 | HL | semi-in-lens | semi-in-lens | SHL | SHL |
| 样品台 | 全对中马达驱动样品台 | ||||
| EDS | 能量分辨率133eV以下， 检测元素B-U， 60mm2大面积检测器 | ||||
分析功能option | EDS,WDS,EBSD,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,EBSD,CL | |
主要的选配件
高位电子检测器 (UED)
背散射电子检测器 (BED)
闪烁体背散射电子检测器（SBED)
多用途背散射电子检测器（VBED)
透射电子检测器（TED)
低真空 （含低真空背散射电子检测器LVBED)
低真空二次电子检测器 (LVSED)
电子背散射衍射 (EBSD)
波谱仪 (WDS)
软X射线分光器 (SXES)
探针电流检测器
样品台导航系统
样品室相机
操作桌
操作面板
LIVE-AI过滤器ー
SMILE VIEW™ Map
JSM-IT800超高分辨热场发射扫描电镜,JSM-IT800
JSM-IT800超高分辨热场发射扫描电镜信息由日本电子株式会社(JEOL)为您提供，如您想了解更多关于JSM-IT800超高分辨热场发射扫描电镜报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
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