实时温度测试仪

kSA BandiT是一种非接触、实时谱带吸收式半导体晶片温度传感器。它采用谱带随温度变化的半导体材料,可以监测高温计所不能测量的晶片温度。

kSA BandiT成功地为MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上安装了高精度、多晶片的温度图像系统。通过利用kSA BandiT温度监控系统以及复杂的循环同步技术,这种新的方案能实时提供MBE生长过程中所有晶片的温度分布全图。

zei新的kSA BandiT多晶片温度监控软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而为获得晶片和压台全面的实时温度提供了强大的技术保证。

该系统是唯一一种能给生长过程中晶片提供实时的二维温度信息。对Wafer（及薄膜）表面温度实时、非接触、非入侵、zei直接的绝对检测；采用温度和半导体材料对光的吸收边沿（谱带能量）相关性原理，即材料的本征特性，使得测量结果更为准确；可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上，进行实时温度检测。

zei大温度范围：室温~1300摄氏度；

温度重复性：0.2摄氏度；

温度分辨率：0.1摄氏度；

稳定性：+/-0.2摄氏度；

*实时、非接触、非入侵、直接的绝对Wafer温度精确监测；

*多基片/晶片表面2D温度Mapping监测；

*zei真实的Wafer表面或薄膜温度监测；

*整合了zei新的黑体辐射监测技术；

*沉积速率和薄膜厚度分析；

*表面粗糙度分析功能；

*测量激光波长范围可选（例如：可见光波段、近红外波段等）

*避免了发射率变化对测量的影响；

*无需沉积设备Viewport特殊涂层；

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途