【Q&A】光谱技术在半导体领域中的应用——椭圆偏振、光学光谱

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HORIBA 光谱学院在线讲座迎来了第五节课——光谱技术在半导体领域中的应用，如下是课堂上同学们提出的问题集锦，是否也有你正在关心的呢？

光学光谱

主讲人：熊洪武

1. 现在pl或荧光在200nm以下采用什么探测器

200nm以下的光谱范围是分波段的，要知道短波长是多少？假设想测量1~200nm的光谱范围。

•在180-200nm波长范围内：可以采用uv镀膜和紫外高透过率的探测器窗口，ccd和pmt基本上可以覆盖此范围。

•1-180nm波长范围的光会被空气吸收，只能存在于真空中，故称之为真空紫外，测量此波段的光，首先需要采用真空紫外光谱仪（vuv光谱仪）进行分光，然后在真空紫外光谱仪上装载x-ray ccd探测。

椭圆偏振光谱

主讲人：文豪 博士

1.测试si wafer上的ald sio或sin，薄膜厚度在2nm至20nm之间，请问在这种尺度下wafer表面的native oxide对测试薄膜的折射率影响有多大？

  0.01左右，具体视样品而异

2.请问椭偏测介电方程对样品表面有要求吗

  粗糙度在50nm以下

3.调节工艺过程中我们的ald sio薄膜ri可能会有变化，如果固定ri去测厚度这样可信吗？考虑自然氧化层厚度，能在后值中做到自动减去前值对应点的厚度吗？我们的模型只是减去固定氧化层厚度

  测试薄膜厚度低于10nm的sio2，可以固定折射率测算厚度；可以在终厚度中减去自然氧化层厚度。

4.椭偏测试目前的光斑小只能达到50um吗?

  25um

5.能否将椭偏和afm连用

  目前没有这方面的文献